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IRFB/S/SL3507PbF
1000
100
T J = 175°C
10000
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
100
1msec
10
10
1
0.1
T J = 25°C
VGS = 0V
1
0.1
0.01
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
DC
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
10
100
1000
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
100
Limited By Package
80
60
40
20
0
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
95
90
85
80
75
70
25
50
75
100
125
150
175
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T C , Case Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
1.6
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage
1200
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1000
800
600
400
200
0
ID
TOP 8.9A
12A
BOTTOM 58A
0
10
20
30
40
50
60
70
80
25
50
75
100
125
150
175
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Starting T J , Junction Temperature (°C)
4
Fig 11. Typical C OSS Stored Energy
Fig 12. Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
www.irf.com
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